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製品

3.粉末作製装置

ガスアトマイズ装置 

各種ガスアトマイズ装置

高周波誘導加熱により、真空排気後の不活性ガス雰囲気中又は大気中において試料の溶解を行い、 高圧のガスを吹きつけ球状の数十μm程度の粉末を作成します。 オプションにて水アトマイズ法、フリーフォールガスアトマイズ法、回転ディスク法への切替も可能です。

特徴

  • 溶解室および噴射室を真空排気することで材料の酸化を防ぎます。
  • 溶解室、噴射室、回収ポット、サイクロンを分離可能なため、清掃が容易です。
  • 直接加熱、間接加熱にも対応可能で、材料に合わせたルツボ材質の選択ができます。
  • 本体及び高周波電源、制御盤は全て自社設計のため、目的に応じたカスタマイズが可能です。

材料用途

出来た粉末は導電材料・磁性材料・電池材料・3Dプリンター用材料・ターゲット材料など…
様々な場面で活用されます。

超小型ガスアトマイズ装置

アトマイズ装置としては小型で、3m角のスペースがあれば設置可能です。

基本仕様

溶解量 1~2㎏(Fe換算)
溶解方式 高周波誘導加熱方式 20kW 10kHz
溶解温度 1600℃ ※但し溶解ルツボによる
到達真空度 13.3Pa(溶解室・噴射室)
加熱雰囲気 Ar またはN2
噴射ガス Ar またはN2
噴射ガス設定圧 3~10MPa
溶解ルツボ アルミナ・ジルコニア・カーボンなど

※上記仕様以外でもご相談によりカスタマイズ可能です。

少量アトマイズ装置

小型でセッティングや清掃が容易なため、一日に複数回のアトマイズ試験が可能です。

基本仕様

溶解量 5~30g(Fe換算)
溶解方式 高周波誘導加熱方式 5kW 10kHz
溶解温度 1600℃ ※但し溶解ノズルによる
到達真空度 13.3Pa(溶解室・噴射室)
加熱雰囲気 Ar またはN2
噴射ガス Ar またはN2
噴射ガス設定圧 3~10MPa
溶解ルツボ 石英・カーボンなど       

※上記仕様以外でもご相談によりカスタマイズ可能です。

ガスアトマイズ装置

目的に応じた溶解量の選択が可能な汎用性の高い装置です。

基本仕様

溶解量 5~120kg(Fe換算)
溶解方式 高周波誘導加熱方式 30~100kW 10kHz
溶解温度 1600℃ ※但し溶解ルツボによる
到達真空度 13.3Pa(溶解室・噴射室)
加熱雰囲気 Ar またはN2
噴射ガス Ar またはN2
噴射ガス設定圧 3~10MPa
溶解ルツボ アルミナ・ジルコニア・カーボンなど  

※上記仕様以外でもご相談によりカスタマイズ可能です。
※溶解量20kg以上の場合は溶解室とタンディッシュ炉に分け、高周波電源を2台以上使用する方式となります。

フリーフォールガスアトマイズ装置

ルツボを使わず溶解するため、Tiなどの活性金属や高融点材料でもアトマイズすることが可能です。

基本仕様

溶解量 2~5kg(Ti換算)
溶解方式 高周波誘導加熱方式 70~120kW 100kHz
溶解温度 2000℃
到達真空度 13.3Pa(溶解室・噴射室)
加熱雰囲気 Ar またはN2
噴射ガス Ar またはN2
噴射ガス設定圧 3~10MPa
溶解ルツボ なし      

※上記仕様以外でもご相談によりカスタマイズ可能です。