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SiC単結晶成長装置

SiC単結晶成長装置

SiC単結晶成長装置

高周波誘導加熱式によるSiC(又はAlN)単結晶成長装置です。

特徴

  • 超小型50kW高周波電源が本体に内蔵されているため、省スペースです。
  • 国家プロジェクトにも採用され、多数の実績を持っています。

仕様

加熱温度MAX 2500℃
高周波電源50kW
ルツボ寸法外径Φ150×280H
雰囲気真空、Ar、N₂
到達圧力1.33×10⁻³Pa
圧力制御1330~9.3×10⁻⁴Pa
測温放射温度計による測温
電源容量
高周波電源
3Φ 200V 60kVA
電源容量
制御部
3Φ 200V 5kVA
電源容量
CPUユニット
1Φ 100V 500VA
冷却水
高周波電源
0.25MPa 50ℓ/min
冷却水
炉体部
0.25MPa 20ℓ/min