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GaP・InP高圧合成装置

GaP・InP高圧合成装置

Gap・InP高圧合成装置

アンプルに封入されたGa(またはIn)とPを、一定蒸気圧のもとでGaP(またはInP)に合成する装置です。
高圧ガス保安法に基づいて製作しています。

特徴

  • 3ゾーン式ヒーターの採用により安定した温度分布が得られます。
  • 作業性に配慮した構造です。
  • 安定した耐圧構造を採用しています。

仕様

高圧チャンバー耐圧3.83MPa
抵抗加熱炉部カンダルーA1 3ゾーン
高周波電源50kW
アンプル移動速度5~50mm/h
早送り移動速度150mm/min
ストローク600mm
電源容量
高周波電源
3Φ 200V 60kVA
電源容量
制御部
3Φ 200V 5kVA
冷却水
高周波電源
0.25MPa 50ℓ/min
冷却水
炉体部
0.25MPa 20ℓ/min